本申请公开了一种三维互连传输线及制备方法，属于通信技术领域。本发明所提供的三维互连传输线包括依次层叠设置的多个晶圆，还包括同轴TSV结构和微同轴结构。相邻的两个晶圆密闭连接，且相邻的两个晶圆之间形成腔室，在相邻的两个晶圆中，至少一个晶圆...

本发明公开了一种同轴电缆、同轴电缆的制造方法及传感器，涉及传感技术领域，所述同轴电缆包括：线槽，所述线槽的槽口宽度大于所述线槽的槽底宽度；屏蔽罩，所述屏蔽罩的罩口与所述线槽的槽口对接，所述线槽和所述屏蔽罩均接地；导线，所述导线设置于所述...

本申请公开了一种微同轴结构及制备方法，属于通信技术领域。本发明提供一种微同轴结构，微同轴结构包括晶圆、屏蔽层、支撑屏蔽层组、顶屏蔽层、中心导体、绝缘支撑桥和绝缘支撑块。晶圆上开设有凹槽；屏蔽层设置于晶圆开设凹槽的表面以及凹槽的内壁；支撑...

本申请实施例提供一种声表面波谐振器及制备方法，涉及微电子技术领域，其中，声表面波谐振器包括：衬底，所述衬底的一侧设置有凹槽；布拉格反射镜，设置于所述衬底具有凹槽的一侧，所述布拉格反射镜靠近所述凹槽的一侧与所述凹槽用于形成空腔；压电膜层，...

本发明公开了一种毫米波传输线的制造方法，属于通信技术领域。所述制造方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一种子层、多个底部金属支撑柱、介电层、第二种子层、多个顶部金属支撑柱和第三种子层；对所述第三种子层进行图形化处理，以在所述第三种子层上形...

本申请实施例提供一种硅基衬底刻蚀方法及电子器件，涉及半导体器件技术领域，可以减小硅基衬底内的凹槽和/或通孔的侧壁粗糙度，提高凹槽和/或通孔的垂直度，增大凹槽和/或通孔的深宽比，提高电子器件的集成度。硅基衬底刻蚀方法，包括：在反应腔室中通...

本发明公开了一种基于空气芯微同轴的皮肤癌检测器及其制造方法，属于微波测量技术领域。该皮肤癌检测器，包括矩形外导体、内导体和多个支撑结构；矩形外导体为内部具有空气腔体的中空结构，多个支撑结构沿矩形外导体的轴向固定设置在空气腔体中；内导体位...

本发明公开了一种基于硅通孔技术的片上功分器，属于无源器件技术领域。该功分器的硅基板内具有贯穿硅基板上下表面的多组TSV结构，每组TSV均包括一个射频TSV结构以及围绕射频TSV结构布置的多个接地TSV结构；功分器还包括位于射频TSV结构...

本申请的实施例提供了一种硅转接板的制备方法、及硅转接板，所述方法包括：对硅晶圆进行刻蚀，以在所述硅晶圆中形成硅通孔，所述硅晶圆的厚度大于600um；对所述硅通孔进行预处理，以去除所述硅通孔内的杂质；在所述硅通孔预处理后，执行循环过程直至...