本发明公开了碳化硅复合MOS器件及碳化硅复合MOS器件的制作方法。本发明中，在第一腔室中将碳化硅外延片通入温度为T1的硅烷气氛中t1分钟，使所述碳化硅表面形成硅膜层；在第二腔室中，将所述硅膜层在温度为T2的氧气氛中进行热氧化，氧化时长为...

本实用新型公开了一种多芯片集成封装结构，包括壳体，所述壳体的底部内壁固定连接有多个支撑杆，支撑杆的顶部固定连接有电路板，电路板的上表面电性连接有多个安装块，安装块的顶部固定连接有多个连接脚，连接脚的另一端电性连接有两个第一芯片，所述第一...

本实用新型涉及电镀装置技术领域，且公开了一种半导体芯片电镀装置。一种半导体芯片电镀装置，包括操作台，所述操作台的顶部固定安装有液压升降杆，所述液压升降杆的顶部固定连接有槽盖，所述槽盖底部表面的中部固定安装有固定件，所述固定件的内部设置有...

本实用新型公开了一种降低正向压降的肖特基二极管，包括散热外壳和肖特基二极管本体，所述散热外壳和肖特基二极管本体之间固定连接有导热体，所述电场消除块底部固定连接有N