北京鲁汶半导体科技有限公司专利技术

北京鲁汶半导体科技有限公司共有37项专利

  • 本发明公开一种等离子体刻蚀设备,其工艺腔室中包括电极底座、电极和内衬;该内衬的筒形侧部覆于所述工艺腔室的内侧壁面,且两者之间设置有绝缘套筒,该内衬的环形底部可与电极底座相接;环形底部的下表面具有内衬安装部,电极底座的上表面相应设置有可与...
  • 本发明属于半导体芯片生产技术领域,具体涉及一种等离子刻蚀机的介质窗控速匀温装置及其方法,该装置包括正装散热风扇、斜装散热风扇以及斜装散热风扇屏蔽罩,正装散热风扇与斜装散热风扇围绕介质窗中垂线在屏蔽罩内顶壁上均匀间隔开交叉布置;正装散热风...
  • 本发明公开了一种真空晶圆传输通道以及维护方法、半导体设备,半导体设备包括工艺腔体、机械手腔体和传输通道,其中传输通道连接在机械手腔和工艺腔体之间,机械手腔体内的机械手可穿过传输通道至工艺腔体内拿取或者放置晶圆,传输通道包括:第一侧板和第...
  • 本发明公开了一种真空晶圆传输通道及其维护方法、半导体设备,半导体设备包括工艺腔体、机械手腔体和传输通道,其中传输通道连接在机械手腔和工艺腔体之间,机械手腔体内的机械手可穿过传输通道至工艺腔体内拿取或者放置晶圆,传输通道包括:第一侧板和第...
  • 本发明属于半导体芯片生产设备技术领域,尤其是一种等离子刻蚀机的激励射频系统,等离子刻蚀机包括等离子反应腔,激励射频系统包括:介质窗,所述介质窗被构造成所述等离子反应腔的顶壁;射频线圈,所述射频线圈设在所述介质窗的上方;加热元件,所述加热...
  • 本发明属于半导体芯片生产设备技术领域,尤其是一种ICP刻蚀装置及其使用方法,在介质窗上布置法拉第屏蔽层,在屏蔽罩外设置相互连接的激励射频电源和激励匹配网络,通过线路进入屏蔽罩连接至射频线圈,在等离子体反应腔中的电极外接偏压射频电源和偏压...
  • 本发明公开了一种晶圆冷却装置,包括:冷却腔体,冷却腔体限定出真空环境的冷却腔室;冷却块,冷却块内限定出冷却通道,冷却块上设有进液管和出液管,进液管和出液管分别与冷却通道相连通;在上下方向上依次叠放有多个支撑盘,每个支撑盘均固定连接在冷却...
  • 本发明公开了一种晶圆冷却装置,包括:冷却腔体,限定出真空环境的冷却腔室,晶圆容纳在冷却腔室内,冷却腔体的底部边缘处设有充气进口和抽气管道,充气进口和抽气管道分别与冷却腔室相连通,冷却气体通过充气进口进入冷却腔室内以对晶圆上表面进行冷却,...
  • 本实用新型公开了一种刻蚀装置的压环机构及其刻蚀装置,刻蚀装置包括真空腔体、设在真空腔体内的电极、支撑在电极上的晶圆和用于压紧固定晶圆的压环机构,压环机构包括:压环,压环压住晶圆的外边缘以使晶圆紧贴在电极上表面;配重组件,配重组件和压环的...
  • 本实用新型公开了一种用于传输晶圆的机械手传动装置,所述传动装置包括:固定轨道;滑动件,所述滑动件连接在所述固定轨道上且可沿所述固定轨道的延伸方向来回滑动;机械手臂,所述机械手臂的一端通过连接固定座和所述滑动件固定相连,所述机械手臂的另一...
  • 本实用新型公开了一种晶圆压紧装置,晶圆承载在电极上,晶圆和电极均位于真空腔室内,晶圆压紧装置弹性可调地将晶圆压紧在电极上,晶圆压紧装置包括:压环,压环的内环边缘可压住晶圆的外边缘以将晶圆固定在电极上;多个压杆组件,每个压杆组件均连接在压...
  • 本实用新型公开了一种用于半导体的反应腔体和半导体设备,反应腔体包括腔盖和腔室本体和开闭装置,开闭装置连接在腔盖和腔室本体之间,腔盖通过开闭装置可转动地打开或者闭合腔室本体,腔盖通过预定的旋转角度沿开闭装置的周向倾斜打开或闭合腔室本体,且...
  • 本实用新型公开了一种等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置。半导体终点检测观察窗装置,包括光路管以及安装在光路管后端的透明观察窗组件,所述光路管在紧靠着前端的位置处配装有透明活动观察窗承接组件,所述透明活动观察窗承接组件中设置有透...
  • 本实用新型公开了刻蚀腔体的支撑装置和刻蚀腔体,刻蚀腔体包括腔室本体和腔盖,腔盖可旋转地连接在腔室本体上,支撑装置适于在腔盖打开腔室本体时支撑在腔盖的背面,支撑装置包括:第一固定块和第二固定块,第一固定块和第二固定块沿刻蚀腔体的左右方向间...
  • 本实用新型公开了一种用于固定晶圆的边缘挤压装置和刻蚀设备,晶圆放置在腔体内,边缘挤压装置对晶圆的外边缘进行挤压固定,边缘挤压装置包括相对布置的两个,每个边缘挤压装置均包括:边缘挤压件,边缘挤压件位于腔体内,边缘挤压件可抵接在晶圆的外周侧...
  • 本实用新型公开了一种用于刻蚀装置的缓冲构件和刻蚀装置,刻蚀装置包括:腔体,腔体内限定出腔室,腔体上设有与腔室连通的抽真空管路,抽真空管路与干泵相连以使腔室内保持真空环境,抽真空管路和干泵均位于腔室外,在腔室内固定有晶圆;第一阀体,第一阀...
  • 本实用新型属于刻蚀工艺技术领域,具体涉及一种等离子刻蚀机的介质窗匀温装置,本装置包括散热风扇和散热风扇屏蔽罩,散热风扇安装在散热风扇屏蔽罩内,每个散热风扇的出风面均朝向加热器中心区域;每个散热风扇屏蔽罩的朝向屏蔽罩顶面中心点的一端与屏蔽...
  • 本实用新型的一种机械手手指冷却装置,包括用于放置机械手的腔体,所述机械手的手指处安装有通水槽,所述通水槽上连接有进水管和出水管,所述进水管和出水管从腔体中穿出;所述腔体位于机械手手指的一侧设置有用于和工艺腔连接的接口,接口处设置有密封件...
  • 本发明公开了一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法,所述法拉第屏蔽装置包括法拉第屏蔽板和加热电路;所述法拉第屏蔽板包括导电环和多个辐射对称连接在导电环外周的导电瓣状件;所述加热电路用于刻蚀工艺时,通电加热法拉第屏蔽板。本发明当...
  • 本发明公开了一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法,法拉第屏蔽装置包括法拉第屏蔽板和贴置在法拉第屏蔽板下端面的电阻丝;法拉第屏蔽板包括导电环和多个辐射对称连接在导电环外周的导电瓣状件;电阻丝的外表面设置有绝缘导热层;刻蚀工艺时...