本发明涉及一种低压摆率积分和高频反馈噪声抑制的Sigma‑Delta调制器，其特征在于，包括，第一无源低通滤波器、第二无源低通滤波器、无损滤波补偿通路、有源环路滤波器、单比特量化器、时钟触发器。通过提出的一种低压摆率积分和高频反馈噪声抑...

本发明涉及一种基于辅助有源滤波和互调失真抑制的连续时间Sigma‑Delta调制器电路，其特征在于，包括，第一有源积分器、辅助有源滤波器、第二有源积分器、第三有源积分器、比较器、第一有限冲激响应滤波器、第二有限冲激响应滤波器、有限冲激响...

本发明涉及一种基于单运放谐振器的三阶连续时间Sigma‑Delta调制器电路，包括：三阶单运放谐振器电路、单端转双端模块电路、自主共模动态比较器、双端转单端模块电路、归零DAC电路。通过利用所提出的一种基于单运放谐振器的三阶连续时间Si...

本实用新型公开了一种TVS芯片批量叠片结构，包括晶圆、石墨定位板、盖板、金属凸点、放置槽，所述石墨定位板的上表面开设有放置槽，所述放置槽中设置有若干个金属凸点，所述放置槽内设置有晶圆，所述石墨定位板的上方设置有盖板，所述石墨定位板通过焊...

本实用新型公开了一种引脚外露的DFN1006结构，包括黑胶，所述黑胶的两端均固定连接有连接端，所述黑胶的前侧外表面设置有芯片，所述芯片的一侧设置有引脚，所述芯片的两侧均固定连接有键合线。本实用新型中，设置有框架、引脚、连接杆和连接端，在...

本实用新型公开了一种改良双芯片结构的SMB封装，包括黑胶，所述黑胶的内部设置有上引脚，所述上引脚的下端设置有焊料，所述焊料的下端设置有芯片，所述芯片的下端设置有中引脚，所述中引脚的下端设置有下引脚。本实用新型中，通过设置双芯片结构将原来...

本实用新型公开了一种可选择通道数的ESD器件的DFN结构，包括上框，所述上框上设置有若干个大小相同的连接块，所述连接块的内部设置有大小相同的引脚，所述引脚与连接块进行线性连接，所述上框的下方设置有下框，所述下框的上方设置有若干个大小相同...

本实用新型公开了一种叠放式的DFN1006封装的双芯结构，包括黑胶，所述黑胶的外表面设置有引脚，所述引脚的上表面设置有基岛，一侧所述基岛的上表面设置有第一芯片，所述基岛和第一芯片之间处设置有第一导电胶，所述第一芯片通过第一导电胶与基岛进...

本实用新型公开了一种垂直叠放注塑结构的CELL封装，包括主模体，所述主模体包括左模体、右模体，所述左模体、右模体相互贴合，所述左模体、右模体中间均匀设置有六个壳体，所述壳体一侧设置有胶道，所述胶道固定连接于主模体的内部至六个壳体开口处的...

本实用新型公开了一种带有贴片二极管封装结构的PCB板，包括PCB板体和焊接在PCB板体上的二极管贴片，所述PCB板体上设置有用于容纳二极管贴片的通孔，所述通孔与PCB板体上下表面连通，所述二极管贴片两侧设置有水平延伸的引脚，所述PCB板...

本实用新型公开了一种带有芯片模组的贴片二极管封装结构，包括芯片模组、1对与芯片模组上下表面连接的引脚以及包覆芯片模组和引脚的封胶层，所述芯片模组包括不少于2个叠置的芯片组以及设置在芯片组顶部和底部的铜片，芯片和芯片之间以及芯片和铜片之间...

本实用新型公开了一种多芯片叠片的贴片二极管封装结构，包括铜片、芯片模组、与芯片模组连接的引脚、以及包覆铜片、芯片模组和引脚的封胶层，所述芯片模组包括不少于2个叠置的芯片和设置在芯片顶部的跳线，所述芯片和芯片之间以及芯片和跳线之间焊接有焊...

本实用新型公开了一种车用大功率贴片TVS二极管封装结构，包括铜基片、芯片、跳线、引脚以及包覆铜基片、芯片、跳线和引脚的封胶层，所述芯片设置在铜基片上表面的中部，所述跳线连接在芯片上，引脚位于封胶层内的一端与跳线连接，另一端延伸出封胶层外...

本实用新型公开了一种普通TVS贴片二极管封装结构，包括芯片、1对跳线、1对引脚以及包覆芯片、跳线和引脚的封胶层，所述芯片和跳线均设置在封胶层内，所述跳线焊接在芯片上下表面上，引脚位于封胶层内的一端与跳线连接，另一端延伸出封胶层外侧，所述...

本实用新型公开了一种轴式贴片二极管，包括底部开口的塑壳和设置在塑壳内的轴式二极管，所述塑壳内设置有1对对应设置的支架，所述支架上设置有轴式二极管导电轴穿过的安装孔，所述支架和塑壳侧壁之间均形成有容纳仓，所述容纳仓内设置有与导电轴连接的引...

本发明公开了一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件，包括通过电连接关系连接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；其中降容管D3提供正向电流通路；D1与T1构成PNPN结构，为主放电通道；TVS管D4提供...

本实用新型公开了一种低残压ESD保护电路，包括第一、第二二极管、第一、第二TVS管、三极管和电阻；第一TVS管的阳极与电阻连接；所述第一TVS管的阴极与三极管的集电极连接；三极管的基极与第一TVS管的阳极连接；三极管的发射极与电阻点另一...

本实用新型公开了一种SCR结构的低残压保护器件，包括第一晶闸管和第二晶闸管；所述第一晶闸管的阳极P+区与第二晶闸管的阴极N+区短路合并集成，所述第一晶闸管的阴极N+区与第二晶闸管的阳极P+区短路合并集成。本实用新型提供的新型SCR结构的...

本实用新型公开了一种高速数据接口ESD保护器件，包括封装框架、芯片电路板和介质层；所述封装框架与芯片电路板之间设置介质层；所述介质层设置非导电胶装片。介质层为CVD淀积二氧化硅层。介质层的厚度为0.5～1um。本实用新型提供的高速数据接...

本实用新型公开了一种低残压瞬态二极管TVS，包括衬底、扩区和短路孔；所述衬底上设置与衬底掺杂类型相反的扩区；所述扩区上设置与扩区掺杂类型相反的短路孔；所述短路孔并排间隔设置于扩区上。所述衬底为N型衬底，所述N型衬底上设置P+型扩区，所述...