一种晶片加工设备，包括：在同一平面上具有用于加工晶片的相同容量的八个或十个反应器，它们构成四个或五个分立的单元，每个单元具有两个并排设置的反应器，反应器的前部对准在一条线上；晶片传送腔室，晶片传送腔室包括两个晶片传送自动机械臂，它们都具...

在具有图案化表面的衬底上形成具有Si-N键的共形介电薄膜的方法包括：向反应空间中导入反应气体；以小于5秒历时的脉冲向该反应空间中导入硅前驱物；在硅前驱物的脉冲期间向该反应空间施加第一RF功率；在硅前驱物脉冲的间隔期间向该反应空间施加第二...

一种半导体处理设备包括：晶片传送室；晶片处理室；晶片传送装置；在晶片传送室内、晶片处理室前的一个位置设置的第一光电传感器，在所述位置，位于准备装载位置的晶片部分地阻挡由第一光电传感器接收的光，并且当晶片在Ｘ轴方向从所述准备装载位置朝向晶...

一种方法控制一种设备比如半导体处理设备，该半导体处理设备包含控制器和由该控制器控制的至少一个装置，其中该控制器配备有用于与该装置通信的接口，而且该接口具有用于测量通信的时间间隔的内部时钟。该方法包含：将控制器的操作系统的系统时钟替换为该...

用于等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）的方法与装置。特别是，具有清洗功能的等离子体ＣＶＤ装置具有改进的喷淋板，该喷淋板的孔具有相同的横截面面积以产生高清洗速度。所述喷淋板可以用作电极，并且可以具有连接到电源的导电延伸部。清洗气体和反应气源从...