本文提供通过原子层沉积形成含氧薄膜的方法。所述含氧薄膜可以通过将向反应空间中的基板提供浓度较高的水脉冲、较高的反应空间中的水分压及/或较高水流速而沉积。含氧薄膜可以例如用作晶体管、电容器、集成电路及其它半导体应用中的介电氧化物。

本发明提供了一种在基板上成长薄膜的装置以及方法，包括根据ALD方法将基板放入反应室中以及使基板与多种气相反应物进行表面反应。非完全闭合阀被放入到ALD系统的反应物进料管道以及反吸管道中。操作非完全闭合阀，使得在ALD过程的清洗或者脉冲循...

本发明提供组合物、方法及系统，其允许选择性蚀刻反应器金属部件(例如钛及/或钛合金)上的金属氧化物。所述蚀刻组合物包括碱金属氢氧化物及五倍子酸。所述方法适用于清洁用于沉积诸如氧化铝的金属氧化物膜的反应室。

本发明提供一种反应室，该反应室中界定有反应空间，其中该反应空间为可调节的，以形成流过该反应空间的气体的实质稳定的层流。该实质稳定的层流被配置为提高在反应室内处理的基板上的沉积均匀性，从而提供可预测的沉积轮廓。

提供了自动定心基座环组件。该基座环组件包括基座环支撑构件和支撑在该基座环支撑构件上的基座环。该基座环支撑构件包括至少三个相对于该反应室的下方内表面向上延伸的销。该基座环包括至少三个制动器，所述制动器形成于底面中以容纳来自该基座环支撑构件...

本发明提供一种整体的基座环，其用于容纳至少一个温度测量器件。该基座环包括板件和一对侧肋，其中板件具有通过其形成的孔体，侧肋一体地连接到板件的下表面。侧肋位于孔体的相对的侧。该基座环进一步包括在一对侧肋中的每一个中形成的钻孔。每个钻孔都被...

一种半导体处理装置包括反应室、装载室、可移动支撑件、驱动机构及控制系统。反应室包括底板。底板包括开口。可移动支撑件经构造以保持工件。驱动机构经构造以使保持于支撑件上的工件朝向底板的开口移动至处理位置。控制系统经构造以当工件支撑件处于运动...

用于传送半导体晶片的伯努利棒（５０）。该棒（５０）具有头部部分（５４），该头部部分具有多个气体出口（７４，７５），这些气体出口被配置以产生沿晶片的上表面的气流，从而建立在晶片的上表面和晶片的下表面之间的压力差。该压力差生成以基本非接触的...

一种前体源器具（１００）包括器具本体（１０４）、在器具本体（１０４）内的通道（１４５）以及附连到本体（１０４）的表面的阀门（１０８，１１０，２１０）。内部腔室（１１１）适于容纳化学反应物，而且通道（１４５）从本体（１０４）外部延伸到腔室...

一种贝努利棒５０，其用于在台架和热处理室之间传送薄的（例如２００ｍｍ）半导体晶片６０。所述棒５０具有头部５４，该头部被配置为覆盖全部晶片６０。该头部５４具有多个气体出口７４，这些气体出口被配置为沿着晶片６０的上表面产生气流，以在晶片６０...

本发明公开了一种半导体晶片支撑销组件。基座具有至少三个支撑销，其被配置以将晶片提升至基座顶部表面的上方。各支撑销包括上销和下销，上销和下销通过卡口座形式的快卸机构相互锁定。上销由非金属材料制成，诸如聚苯并咪唑。基座由电机或气压缸驱动的提...

一个具有被配置成容纳一对异种金属丝的支承管的热电偶。所述热电偶的所述一对金属丝连接在邻近所述支承管的一端的接头处。所述热电偶还包括一个附着在所述支承管的相反端的保护盖，其中保护盖容纳所述一对金属丝的自由端。所述保护盖允许所述一对金属丝通...

通过重复均厚淀积和选择性刻蚀的循环工艺在半导体窗口（１１４）中选择性形成外延层（１２５）。均厚淀积阶段在绝缘区（１１２）如场氧化物上留下非外延材料（１２０），而选择性刻蚀阶段优先去除非外延材料（１２０），同时周而复始地增进淀积的外延材料...

提供了生产洁净的氢终结化的硅晶片表面的方法，该硅晶片表面对于氧化具有高稳定性。按照过程中步骤２０，硅晶片被用高纯度的、加热的含阴离子表面活性剂的稀氢氟酸处理。在接下来的步骤３０中，晶片在室温下用纯水原位清洗，而后在随后的干燥步骤４０中干...

一种用于向原子层沉积（ＡＬＤ）反应器分配一种或多于一种气体的系统和方法。被安装在喷头组件上的集成式进气歧管挡块包括直接安装于其上的高温（可达到２００℃）额定阀门以及短的、容易被清洗的反应物管线。整体通道和金属密封件可以避免Ｏ型环及沿流动...