本技术公开了半导体器件冲切装置，包括支撑座、冲切平台、外框、液压杆、顶板和冲切刀片，所述支撑座顶端中部安装有冲切平台，且冲切平台外侧的支撑座顶端安装有外框，所述外框内壁顶端通过液压杆安装有顶板，且顶板底端通过调节机构安装有冲切刀片，所述...

本技术公开了软恢复整流二极管引脚抛光装置，包括：支撑座，所述支撑座内部上端卡接有输送机构，所述支撑座上端位于输送机构两侧安装有抛光机构；抛光机构包括支撑架，所述支撑架表面上端固定安装有调节槽，所述调节槽内部安装有多组均匀设置的弹性件，所...

本技术公开了高雪崩能力的整流芯片定位测试装置，包括固定板，定位组件，所述定位组件包括定位槽和定位板，定位槽开设在固定板上，所述定位板上下活动设置在定位槽内部，定位板的底端通过设置的弹簧一与定位槽底壁相连；压紧结构，压紧结构设置在固定板顶...

本技术公开了多功能整流二极管框架冲压装置，包括：冲压工作台；限位导向机构，设置于冲压工作台上端，所述限位导向机构包括安装于冲压工作台两侧的固定座，所述固定座上端卡接有调节座，所述调节座上端一侧固定连接有导向板，所述导向板一端设置有弧形导...

本技术公开了半导体浸泡装置，包括浸泡箱，所述浸泡箱包括位于中间的浸泡腔和位于两侧的安装腔；浸泡篮，所述浸泡篮的对角线长度小于所述浸泡腔的对角线长度，所述浸泡篮活动设置在浸泡腔中，所述浸泡篮顶部两端设置有连接部；升降组件，所述升降组件设置...

本技术公开了半导体编带装置，包括机台，导向结构和调节组件，所述调节组件包括安装块一和安装块二，所述安装块一设置在固定座和活动座的顶端，所述安装块二设置在连接座底端对应安装块一的位置，所述安装块一与所述安装块二相连接，所述连接座底端开设有...

本技术公开了一种芯片高密度封装框架，包括：组合框架，组合框架包括角模块、行边模块、列边模块和增数模块，所述角模块和行边模块边框均开设有定位孔，所述角模块、行边模块、列边模块和增数模块侧边均开设有定位槽，所述定位槽中部开设有组合定位孔，所...

本技术公开了半导体测试台，包括：检测箱，所述检测箱上端固定安装有风冷机构，所述检测箱内部设置有检测腔和储存腔，所述检测腔内部设置有检测机构，所述储存腔内部固定安装有水冷机构；风冷机构包括有固定框，所述固定框内部固定安装有电机支架，所述电...

本发明公开了一种光伏模块焊接前预储锡设备及其工作方法，涉及光伏生产技术领域，设备包括底座，所述底座上布设有用于定位光伏模块的定位座；位于所述定位座上设有储锡板，储锡板朝向定位座方向嵌设有用于与光伏模块表面贴合的密封板，其中，密封板中开设...

本实用新型公开了一种半导体器件堆叠封装结构，包括基板、金属弹片、第一元器件、第二元器件、第三元器件和导线，所述第三框架内侧通过所述金属弹片弹性卡接有第三元器件，所述金属弹片与所述基板之间通过导线电性连接；本实用新型通过金属弹片将第一元器...

本实用新型公开了一种贴片式半导体器件，包括绝缘壳体，所述绝缘壳体的内侧中部设有芯体，所述芯体的两侧均设有引线，所述引线为口字形结构，且引线突出绝缘壳体表面的部分构成引脚，所述引线位于绝缘壳体内侧的部分构成贴片基岛，所述贴片基岛对应芯体的...

本实用新型公开了一种半导体封装压板，包括主框体，所述主框体的两侧开设有边槽，所述主框体的内部焊接有第一限位板，所述第一限位板的中部位置开设有内槽，所述第一限位板以及内槽的内侧设置有压板，所述压板的上表面还设置有盖板，所述压板、盖板与第一...

本实用新型公开了一种具有散热器的半导体封装装置，包括装置主体，所述装置主体的上表面设置有两个丝杆两个所述丝杆的外侧均设置有伸缩杆，两个所述伸缩杆的顶端设置有移动轨道，所述移动轨道的外侧设置有移动机构，所述移动机构的前侧焊接有焊头，所述装...

本实用新型公开了一种半导体器件生产用封装装置，包括底座，所述底座顶端两侧固定安装有固定座，机架，封装机构，调节机构，所述调节机构包括驱动电机，所述驱动电机一端延伸至底座内部开设的空腔中且固定连接有传动杆，所述传动杆外壁两侧分别开设有右旋...

本发明提供一种复合内钝化层双沟槽结构大功率整流器件应用芯片，芯片台面为两并列的双沟槽设计，芯片上层掺杂层为P型掺杂层，下掺杂层为衬底N型掺杂层，在上下掺杂层表面电镀金属层，沟槽侧面和底部采用纳米级的氧化膜以及多晶硅加氮化硅加特种玻璃组份...

本发明提供一种复合内钝化膜单沟槽结构高可靠性整流器件应用芯片，芯片台面的采用单沟槽设计，沟槽内壁表面采用复合内钝化层结构，复合内钝化层由多晶硅膜以及底层高纯度纳米级氧化膜、氮化硅膜、玻璃组成。芯片由中间层单晶半导体本体、上层为P型硼结区...