本发明公开了一种氟化铽锂晶体用研磨装置，涉及氟化铽锂晶体加工技术领域，包括支撑底座、研磨盘、检测设备、升降驱动件和用于夹持晶体圆片的升降装夹台，所述升降驱动件用于驱动研磨盘升降；还包括伸缩清洁机构和往复联动机构。本发明每当需要通过检测设...

本发明公开了一种氟化铽钾晶体抛光装置，涉及晶体加工技术领域，包括机台，所述机台的顶部开设有安装槽，所述安装槽的内壁转动安装有抛光盘，所述安装槽的一侧固定安装有晶体限位机构，所述晶体限位机构包括安装架，所述安装架的内壁转动连接有安装套，所...

本发明属于衬底抛光技术领域，具体地涉及一种液相外延衬底表面处理设备与处理工艺，其包括抛光垫、清理组件、滴液管和可升降的抛光组件，抛光组件通过吸盘与衬底本体连接，所述清理组件包括环形扇叶和气流腔，气流腔内转动安装环形扇叶，抛光组件与环形扇...

本发明涉及晶体合成技术领域，公开了一种铌酸锂单晶薄膜的制备工艺，包括以下步骤：S1、于切割模具表面开设容纳槽；S2、将铌酸锂单晶切割成薄片，然后将铌酸锂薄片置于切割模具的容纳槽中，填充缓冲材料，机械研磨减薄铌酸锂薄片；S3、衬底表面沉积...

本发明公开了CeLYSO多晶粉体制作生长设备及方法，涉及提拉法炉领域，该种CeLYSO多晶粉体制作生长设备及方法通过设置侧挡板组件和同步翻转组件，使得多个侧挡板在晶棒下料过程中能够反转成防护姿态将晶棒围住，从而能够在保证晶棒具有较快的下...

本发明公开了LYSO闪烁晶体材料制备设备及方法，涉及闪烁晶体材料制备领域，包括炉体，炉体内部设置保温层，保温层内侧设置加热器；坩埚与保温层适配滑动设置，使坩埚可竖直升降移动，坩埚表面开设有上下贯通的导气道，导气道的截面尺寸均匀；炉体内充...

本发明公开了一种LYSO前驱体制备方法及设备，涉及闪烁晶体材料制备领域，包括反应池，反应池内配置有电加热器；轴杆通过支架组件转动设置在所述反应池的中心位置，轴杆传动连接有用于驱动其转动的电机；所述轴杆连接多个均匀环形分布的搅板，搅板包括...

本技术涉及清洁工具技术领域，尤其涉及一种晶体生长炉的炉膛清理装置，其包括控制机、加热箱和玻璃管，工作人员通过控制机控制传动件工作，传动件带动坩埚在玻璃管的入口处进入到玻璃管时，安装在坩埚上的第一磁性圈与第二磁性圈相吸，同时伴随着坩埚持续...

本发明公开了一种连续生长单晶的方法，涉及晶体生长技术领域。本发明连续生长单晶的方法，包括如下步骤：S1：将多晶料块装入坩埚中，在坩埚的籽晶槽中放入籽晶，坩埚封口后移到生长炉中，抽真空后冲入保护气体；S2：移动坩埚至生长炉的高温区，保温2...

本技术涉及坩埚技术领域，尤其涉及一种水平布里奇曼法晶体生长炉用防倾倒坩埚，其包括箱体，箱体内设置有加热腔，所述箱体内安装有若干传动辊，通过把舟坩埚放置到夹持架上，并调整夹持架，使其夹紧舟坩埚，由于夹持架和滑杆处于连接状态，当传动辊启动，...

本技术属于晶体制备设备技术领域，提供了一种布里奇曼法晶体生长炉的节能炉膛，包括炉体和船型坩埚，所述炉体内固定安装有截面呈框型结构的隔热槽，隔热槽内固定安装有多组加热管，所述隔热槽内固定安装有多组成对存在的第一隔热板和第二隔热板。旨在解决...

本技术属于晶体生长设备技术领域，提供了一种晶体生长炉的坩埚定向传输结构，包括底座，所述底座上设置有升降架，底座上设置有带动升降架上下移动的动力组件，所述升降架上滑动安装有多组间隔分布的支撑杆，升降架内固定安装有多组分别与支撑杆位置对应的...

本发明涉及结晶炉技术领域，公开了一种连续生长水平布里奇曼炉，包括：炉体，其内设置加热区，且加热区的两端分别设置有低温区以及预处理区，所述低温区以及预处理区内均设置有用于带动舟型坩埚移动的若干运输轮；以及转轴，所述转轴靠近运输轮的端部固定...

本发明涉及晶体合成技术领域，公开了一种大尺寸铽镓石榴石的制备方法，包括以下步骤：S1、将原料粉末干燥后按照分子式Tb<subgt;3</subgt;Ga<subgt;5</subgt;O<subgt;12&...

本发明涉及晶体生长领域，公开了一种离子掺杂钇铝石榴石的生长方法，包括以下步骤：根据分子式RE:Y<subgt;3</subgt;Al<subgt;5</subgt;O<subgt;12</subgt;...

本发明公开了一种激光晶体的杂质检测系统与检测方法，涉及激光晶体检测技术领域。该系统包括用于获取激光晶体样本并进行杂质检测获取晶体杂质的晶体检测模块、用于对晶体杂质进行分离获取掺杂离子和杂质离子的杂质分离模块以及用于对掺杂离子和杂质离子进...

本发明公开了一种氟化铽锂磁光晶体的生长方法，涉及晶体生长技术领域。本发明氟化铽锂磁光晶体的生长方法包括如下步骤：S1：将TbF<subgt;3</subgt;和LiF混料，得到混合料；S2：将放置有混合料的坩埚放入单晶炉中，...

本技术公开了一种高功率准直器，涉及准直器技术领域，包括：安装筒，安装筒内设有装配孔；其中，装配孔内设有连接筒；两个拆换组件，两个拆换组件分别拆卸安装在安装筒的两侧，并且两个拆换组件之间形成一个拆换腔；其中，两个拆换组件的拆换腔内设有准直...

本发明公开了一种氟化铽钾晶体材料及其生长方法，属于晶体生长技术领域，包括以下步骤：将多晶粉末置于铂坩埚中，控制炉膛内气压，充入混合气体，升温至坩埚内原料熔化，在高于熔点100℃温度下过热恒温24h，下移氟化铽钾籽晶，使氟化铽钾籽晶与熔体...

本发明公开了一种高硬度晶体材料的抛光打磨工艺，具体涉及晶体抛光加工技术领域，本发明晶体原料进入到输料筒的清洗后经由传送带的输送到达台面的位置，通过机械手一端部的粘接组件一对晶体原料的侧面接触粘接，并通过缺口进入到内罩板和外护盘形成的区域...