本发明公开了一种单晶炉二次加料方法，属于单晶硅制备领域。本发明的二次加料方法，包括如下步骤：步骤ST1、准备阶段；步骤ST2、二次加料装置定位阶段；步骤ST3、点动加料阶段；步骤ST4、二次加料装置取出阶段。本发明主要实现了在单晶炉拉制...

本实用新型公开了一种带隔离阀的单晶炉，属于单晶炉的制造领域。本实用新型包括侧开式副室、炉筒和晶体提升机构，侧开式副室下部设有隔离阀，隔离阀包括隔离电机、连轴、阀座、阀盖和转动臂，阀座安装于侧开式副室下部横截面上，连轴的一端固连有连轴齿轮...

本实用新型公开了一种大直径单晶炉，属于单晶炉的制造领域。本实用新型包括副室、炉筒、晶体提升机构和底座，自动旋转机构包括立轴、副室旋转轴、轴套和电机，立轴位于侧开式副室的一侧，副室旋转轴通过连接件与侧开式副室固连；电机的输出轴与电机齿轮固...

本实用新型公开了一种多晶硅挤压破碎装置，属于多晶硅破碎器具技术领域。本实用新型包括护罩、支架、偏心轴、破碎动块、破碎定块和限位机构，支架上安装有护罩，护罩的内部下侧固定有破碎定块，破碎动块正对破碎定块设置，破碎动块的下端铰接在限位机构上...

本实用新型公开了一种带自动旋转机构的单晶炉副室，属于单晶炉的制造领域。本实用新型的带自动旋转机构的单晶炉副室，包括自动旋转机构和一体式结构的侧开式副室，自动旋转机构包括立轴、副室旋转轴、轴套和电机，立轴位于侧开式副室的一侧，副室旋转轴通...

本实用新型公开了一种CZ直拉法大直径单晶炉，属于CZ直拉法大直径单晶炉的制造领域。本实用新型包括侧开式副室、炉筒和晶体提升机构，侧开式副室为一体式结构；副室主体与门板相配合的侧面开口上设有一圈密封圈，该密封圈包括密封圈本体和弧形凸起，密...

本实用新型公开了一种单晶炉副室，属于单晶炉的制造领域。本实用新型包括一体式结构的侧开式副室，侧开式副室下部设有隔离阀，隔离阀包括隔离电机、连轴、阀座、阀盖和转动臂，阀座安装于侧开式副室下部横截面上，阀座上设有圆形通孔；隔离电机的输出轴上...

本实用新型公开了一种CZ直拉法大直径单晶炉的副室，属于CZ直拉法大直径单晶炉的制造领域。本实用新型包括一体式结构的侧开式副室，该侧开式副室包括内部设有空腔的副室主体和门板，副室主体一侧面上设有开口，门板通过铰链转动连接在副室主体上，门板...

本实用新型公开了一种单晶炉，属于单晶炉的制造领域。本实用新型包括副室、炉筒、晶体提升机构和底座，副室包括自动旋转机构和一体式结构的侧开式副室；副室主体与门板相配合的侧面开口上设有一圈密封圈，该密封圈包括密封圈本体和弧形凸起，密封圈本体的...

本实用新型公开了一种单晶炉二次加料系统，属于单晶硅制备领域。本实用新型的单晶炉二次加料系统，包括单晶炉主体和二次加料装置，二次加料装置包括钼制加料筒、不锈钢套筒、钼制连杆和石英锥，不锈钢套筒架设在钼制加料筒的内部中心位置；石英锥的形状为...

本发明公开了一种单晶炉二次加料系统，属于单晶硅制备领域。本发明的单晶炉二次加料系统，包括单晶炉主体和二次加料装置，二次加料装置包括钼制加料筒、不锈钢套筒、钼制连杆和石英锥，不锈钢套筒架设在钼制加料筒的内部中心位置；石英锥的形状为正三棱锥...