本技术提供了一种晶托卸载系统，属于硅棒晶托技术领域，包括：本技术提供的晶托取料装置，通过夹持单元连接固定板，固定板的两端安装有伸缩机构，伸缩机构的运动部连接有夹爪，通过两侧的夹爪可以将晶托的两侧进行夹取，以便夹持单元通过固定板带动晶托进...

本技术提供一种粘棒晶托，包括：承载板，承载板具有承载面，承载面具有承载区，承载区适于承载和粘接硅棒或硅块以进行切割；承载板具有通液孔，所述通液孔适于通入切割液；通液孔沿承载板的长度方向延伸，在承载板的长度方向上的至少一侧端面具有开口；承...

本技术提供了一种半片双排切割挡板及硅棒装载花篮，属于半片切割技术领域，其中，半片切割挡板包括：板体，所述板体包括适于支撑在花篮底部的支撑部和适于伸入双排硅片之间的隔离部；板体为柔性材质，且板体的厚度小于两排硅片之间的距离。本技术提供的半...

本申请公开了一种坩埚及其制备方法，涉及硅晶棒制备技术领域，本申请的坩埚的制备方法，包括：将聚甲基硅氧烷与有机溶剂按照质量比为1:0.6‑1混合形成混合溶液；将石英粉与混合溶液按照质量比为1:50‑1:100在球磨机内进行混合，形成待涂溶...

本技术涉及硅棒切割技术领域。具体公开一种边皮硅块粘棒工装，用于将边皮硅料切割成的边皮硅块堆叠粘接成硅棒，包括：外套壳，外套壳包括第一壁、第二壁和底壁；第一壁、第二壁分别和底壁共同构成凹形结构；第一壁和第二壁平行设置且与底壁垂直，凹形结构...

本申请提供一种坩埚及其制备方法，涉及坩埚技术领域。该坩埚的制备方法包括：制备凝胶预混液；在凝胶预混液内添加氮化硅粉、烧结助剂和分散剂，以得到凝胶浆料；将引发剂和催化剂添加至凝胶浆料中，并在混合均匀后注入至模具中且进行干燥处理，以得到素坯...

本发明涉及单晶材料制造技术领域，尤其涉及一种适用于连续直拉单晶技术的洗料方法

本实用新型涉及硅片制造技术领域，提供一种清洗机，包括至少一个用于清洗硅片的清洗槽

本实用新型提供一种插片机系统，包括：插片机主体，插片机主体包括插片机箱；插片机箱内设置有：料托，料托适于盛装硅片；设置于所述料托下方的升降平台，升降平台适于承载料托在插片机箱内升降；设置于所述机箱开口侧的分片喷嘴，分片喷嘴适于向料托中的...

本发明提供一种晶棒的处理方法，包括：设定晶棒粘结区，晶棒粘结区至少包括间隔设置的处于同一平面的第一区、第二区和位于第一区和第二区之间的溢胶区；在第一区设置第一胶膜层，在第二区与第一区设置第一胶膜层的同侧设置第二胶膜层；在第一胶膜层的表面...

本发明涉及硅片制造技术领域。本发明提供一种粘接硅棒切片方法，包括以下步骤：提供承载晶托；硅棒粘接，将两个或以上的硅棒或硅块首尾相接粘贴于承载晶托上形成粘棒体，粘棒体中相邻硅棒或硅块之间的相接处形成粘棒缝；调整角度，使金刚线与粘棒体的宽度...

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种半导体衬底的抛光方法，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行超声碱洗；对半导体衬底进行抛光处理，以降低半导体衬底的两侧表面的线痕度；抛光处理采用抛光处理液，抛光处理液包括碱液、抛光辅助剂以及去离...

本发明涉及光伏制造技术领域，提供一种晶棒切割中出现断线处理的方法，包括：提供第一切割线网，第一切割线网包括螺旋环绕的若干连续的第一线圈；提供待切晶棒，在待切晶棒沿高度方向通过第一切割线网切割且第一切割线网断线时，所述待切晶棒以第一切割线...

本发明提供一种硅棒的切割方法，包括：获取硅棒主体；沿硅棒主体的长度方向进行切割，以得到初始棒和四个第一边料，第一边料在硅棒主体的切割线位于硅棒主体的晶线上，初始棒在垂直于初始棒的长度方向上的截面具有第一方向和第二方向；沿初始棒的长度方向...

本发明涉及硅片制造技术领域，具体公开一种硅片加强清洗方法、硅片清洗装置和硅片制造方法。硅片加强清洗方法包括以下步骤：提供经一次清洗后表面仍残留有脏污的脏污硅片；将脏污硅片传送入清洗装置；清洗装置具有清洁腔室，脏污硅片在清洁腔室内呈移动状...

本发明提供一种硅棒可切割性能的评估方法及硅棒切割方法。硅棒可切割性能的评估方法包括以下步骤：切取样块，分别自若干硅棒的指定区域切取样片，自样片切取测试样块；测试耐磨性，测试各测试样块在相同条件下的磨耗比，磨耗比与所述硅棒的硬度、塑性、韧...

本发明提供了一种硅棒粘接的方法，包括：提供载板和固态的粘板胶；在载板的一侧粘贴固态的粘板胶；在固态的粘板胶背离载板的一侧表面放置基板；提供固态的粘棒胶，并且在基板背离粘板胶的一侧表面粘贴固态的粘棒胶；在粘棒胶背离基板的一侧表面放置硅棒；...

本发明涉及硅块切割技术领域，提供一种切割硅块的方法及装置，该方法包括：对由边皮料加工成的硅块进行实时检测，获取各个硅块的尺寸数据；根据切割线网的切割宽度，从设定数量个硅块选取出符合预设尺寸要求的多个硅块，并反馈选定的硅块的编号及硅块之间...