安徽华晟新材料有限公司专利技术

安徽华晟新材料有限公司共有26项专利

  • 本发明提供了一种硅片双重吸杂方法、异质结电池片的制备方法,涉及异质结电池的技术领域,包括以下步骤:将原料硅片进行表面刻蚀形成缺陷,作为吸杂中心,依次进行热处理和磷扩散吸杂,得到衬底硅片;其中,表面刻蚀的方法包括化学腐蚀;化学腐蚀的腐蚀液...
  • 本发明提供一种太阳能电池硅废料提纯方法,将硅废料用有机溶剂进行清洗后使用混酸溶液进行除杂;所述有机溶剂为介电常数≥18.3和偶极矩≥1.66D的极性有机溶剂;所述混酸溶液中氢氟酸相比总酸的摩尔占比为1‑6%,混酸溶液中总酸的摩尔浓度为1...
  • 本发明提供了一种异质结太阳能电池分层连续回收的方法,包括以下步骤:S1:废旧异质结太阳能电池通过硝酸溶液处理以脱离银栅线,得到脱银电池片和硝酸银溶液;将该硝酸银溶液与碱溶液反应,得到氧化银沉淀物,取该氧化银沉淀物进行热分解,得到银单质;...
  • 本发明涉及光伏电池技术领域,具体涉及一种回收异质结电池片中银的方法。其回收步骤包括:S1)酸洗处理:酸液与原电池片反应,得到中间电池片,分离出所述中间电池片,得到第一含银液体;S2)氨水处理:氨水与所述中间电池片反应,得到待回收硅片,分...
  • 本申请提供一种坩埚及其制备方法,涉及硅棒制备技术领域,该方法包括:提供第一型材质的坩埚基体,并对坩埚基体的内壁面进行表面化处理,以获得待结合区域;提供第二型材质的初始涂层原料,初始涂层原料的物相包括固体颗粒;对初始涂层原料执行均一化处理...
  • 本申请涉及硅料破碎技术领域,具体公开了一种硅料破碎装置,包括用于放置硅料的硅料处理仓,以及用于驱动所述硅料处理仓沿规定路线运动的驱动装置;沿所述硅料处理仓的运动路径依次设置有注液组件、低温组件以及破碎组件;所述注液组件用于向所述硅料处理...
  • 本技术提供了一种硅片清洗装置及硅片清洗设备,涉及硅片清洗技术领域。硅片清洗装置包括:支架、输送机构、顶部喷淋机构和底部喷淋机构,其中,输送机构,包括下滚轮组件和上滚轮组件,下滚轮组件和上滚轮组件均沿水平方向安装于支架上,上滚轮组件与下滚...
  • 本发明涉及异质结电池回收技术领域,公开了一种异质结电池的回收处理方法,包括:将异质结电池放入酸性腐蚀溶液中浸泡使银栅线脱落,得到去银电池片和含银酸溶液;酸性腐蚀溶液包括第一硫酸溶液或第二硫酸溶液与第一氢氟酸溶液的混合酸溶液;将去银电池片...
  • 本技术提供了一种晶托卸载系统,属于硅棒晶托技术领域,包括:本技术提供的晶托取料装置,通过夹持单元连接固定板,固定板的两端安装有伸缩机构,伸缩机构的运动部连接有夹爪,通过两侧的夹爪可以将晶托的两侧进行夹取,以便夹持单元通过固定板带动晶托进...
  • 本技术提供一种粘棒晶托,包括:承载板,承载板具有承载面,承载面具有承载区,承载区适于承载和粘接硅棒或硅块以进行切割;承载板具有通液孔,所述通液孔适于通入切割液;通液孔沿承载板的长度方向延伸,在承载板的长度方向上的至少一侧端面具有开口;承...
  • 本技术提供了一种半片双排切割挡板及硅棒装载花篮,属于半片切割技术领域,其中,半片切割挡板包括:板体,所述板体包括适于支撑在花篮底部的支撑部和适于伸入双排硅片之间的隔离部;板体为柔性材质,且板体的厚度小于两排硅片之间的距离。本技术提供的半...
  • 本申请公开了一种坩埚及其制备方法,涉及硅晶棒制备技术领域,本申请的坩埚的制备方法,包括:将聚甲基硅氧烷与有机溶剂按照质量比为1:0.6‑1混合形成混合溶液;将石英粉与混合溶液按照质量比为1:50‑1:100在球磨机内进行混合,形成待涂溶...
  • 本技术涉及硅棒切割技术领域。具体公开一种边皮硅块粘棒工装,用于将边皮硅料切割成的边皮硅块堆叠粘接成硅棒,包括:外套壳,外套壳包括第一壁、第二壁和底壁;第一壁、第二壁分别和底壁共同构成凹形结构;第一壁和第二壁平行设置且与底壁垂直,凹形结构...
  • 本申请提供一种坩埚及其制备方法,涉及坩埚技术领域。该坩埚的制备方法包括:制备凝胶预混液;在凝胶预混液内添加氮化硅粉、烧结助剂和分散剂,以得到凝胶浆料;将引发剂和催化剂添加至凝胶浆料中,并在混合均匀后注入至模具中且进行干燥处理,以得到素坯...
  • 本发明涉及单晶材料制造技术领域,尤其涉及一种适用于连续直拉单晶技术的洗料方法
  • 本实用新型涉及硅片制造技术领域,提供一种清洗机,包括至少一个用于清洗硅片的清洗槽
  • 本实用新型提供一种插片机系统,包括:插片机主体,插片机主体包括插片机箱;插片机箱内设置有:料托,料托适于盛装硅片;设置于所述料托下方的升降平台,升降平台适于承载料托在插片机箱内升降;设置于所述机箱开口侧的分片喷嘴,分片喷嘴适于向料托中的...
  • 本发明提供一种晶棒的处理方法,包括:设定晶棒粘结区,晶棒粘结区至少包括间隔设置的处于同一平面的第一区、第二区和位于第一区和第二区之间的溢胶区;在第一区设置第一胶膜层,在第二区与第一区设置第一胶膜层的同侧设置第二胶膜层;在第一胶膜层的表面...
  • 本发明涉及硅片制造技术领域。本发明提供一种粘接硅棒切片方法,包括以下步骤:提供承载晶托;硅棒粘接,将两个或以上的硅棒或硅块首尾相接粘贴于承载晶托上形成粘棒体,粘棒体中相邻硅棒或硅块之间的相接处形成粘棒缝;调整角度,使金刚线与粘棒体的宽度...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体提供一种半导体衬底的抛光方法,包括:提供半导体衬底;对半导体衬底进行超声碱洗;对半导体衬底进行抛光处理,以降低半导体衬底的两侧表面的线痕度;抛光处理采用抛光处理液,抛光处理液包括碱液、抛光辅助剂以及去离...