本发明公开了一种CMUT最佳偏置电压确定方法及相关装置，本发明利用能量转换原理获取偏置电压与接收电流的关系，根据最大接收电流确定最佳偏置电压，并设计了一种CMUT最佳偏置电压确定装置以实现所述方法，解决了CMUT领域只能凭借经验值施加偏...

一种用于双面印刷中涂覆焊膏的工装，其特征在于：它包括底板（1），在底板（1）上设有基座（2），在基座（2）上穿设有水平分布的轨道（3），在基座（2）两侧的轨道（3）上分别穿设有可活动的基板夹持块（4），在每个基板夹持块（4）上均设有与轨...

本发明涉及一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，包括晶圆刻蚀后Dechucking工艺，其特征在于：在Dechucking的反应气体氩气中添加氧气，工艺参数设置为：氩气量300‑400sccm，氧气流量10‑30sccm，反应压力150‑...

本发明提供一种MEMS压力芯片的制备方法，其特征在于：它包括在第一SOI晶圆上制备氧化硅图形层、将第一二SOI晶圆键合在一起，在第一SOI晶圆上设置上氧化层、压敏电阻、引线和第二腔体，在第二SOI晶圆上设有下氧化层、槽体和腔体。本发明提...

本发明涉及一种用于裸芯片表面清洗的装置及其使用方法，其特征在于：基座A的制备：在一块铝合金板表面加工出一组浅槽，每个浅槽尺寸与摆放芯片的裸芯片盒尺寸相匹配，同时在铝合金板四周开出一圈台阶；盖帽B的制备：定制一块铝框，该铝框尺寸与基座A四...

本发明公开了一种高精度倒装焊接对准装置，包括：加热平台，用于基板和芯片的放置加热；视觉识别装置，设置在加热平台正上方，用于芯片与基板的图像采集；芯片拾取装置，设置在加热平台侧边，用于根据视觉识别装置图像采集得到的视觉对准结果拾取芯片并将...

本发明公开了一种陶瓷封装管壳切外框装置以及切筋方法，包括冲切下模以及可沿竖直方向往复移动的冲切上模，且所述冲切下模至少包括开设有放置槽的放置台，所述冲切上模至少包括两个第一冲压刀具；冲切操作时，封装外壳本体嵌入所述放置槽内、引脚以及引线...

本发明涉及一种DC/DC电源电应力故障复现控制电路，由可调脉宽的单稳态触发电路以及相相连的高速开关控制电路组成，单稳态触发电路发出控制电压施加到高速开关控制电路，高速开关控制电路控制直流电压产生的应力电压施加至DC/DC电源上。单刀触发...

本发明涉及一种同步触发延迟输出控制电路装置，由方波信号电路、与方波信号电路相连的第一单稳态触发电路、以及与第一单稳态触发电路相连的第二单稳态触发电路组成；方波信号电路产生20Hz方波，该方波信号首先触发第一单稳态触发电路，第一单稳态触发...

本发明公开了一种基于多孔阵列结构的MEMS芯片封装结构，包括：封装管壳、硅基板和第一芯片，所述第一芯片通过所述硅基板与所述封装管壳连接；所述硅基板包括第一功能区和第二功能区，所述第一功能区和第二功能区通过多孔阵列结构实现柔性连接；在所述...

本发明涉及一种霍尔效应直流风扇驱动器电路装置，其特征在于由位置探测单元、极性变换单元和H桥驱动单元组成；所述位置探测单元由霍尔位置开关N1和电阻R1组成，所述极性变换单元由三极管Q1与电阻R2组成，所述H桥驱动单元由MOSfFET管Q2...

本发明涉及一种提升晶圆级热氧化生长速率的方法，包括如下制备步骤：清洗、进舟、升温稳定、干氧、氢氧合成、干氧、氮气致密、降温、出舟、测试膜厚，其特征在于：在氢氧合成中控制氢气与氧气的流量比为5~6：3~4。本发明的优点：在现有制备工艺的基...

本发明涉及一种红外测试外延漂移量方法，采用套刻测试仪测量参考对准标记（4）与外延对准标记（3）之间的套刻偏移量A，A=（a1‑a2）/2，a1为外延对准标记（3）左边界与参考对准标记（4）左边界距离，a2为外延对准标记（3）右边界与参考...

本发明涉及一种抗高过载加速度计异构集成结构，属于MEMS传感器结构技术领域。它包括管壳，所述管壳内壁分别固定连接有加速度计裸芯片和带有外部处理电路的PCB板，PCB板与加速度计裸芯片通过键合丝电性连接；所述管壳内设有包覆加速度计裸芯片所...

本发明公开了一种

本发明涉及一种用于

本发明涉及一种电路引脚弯折试验装置，属于电路可靠性试验技术领域

本发明提供一种集成电路基板侧连印刷工装，其特征在于：它包括槽体（1），在槽体（1）上穿设有水平伸缩装置（3），在槽体（1）内设有与水平伸缩装置连接的推板（2），在槽体（1）内还设有一组与待印刷的一组基板（5）一一对应配合的弹性隔离装置（...