本技术涉及一种腐蚀处理用霍尔样品夹具及霍尔效应测试仪，霍尔样品夹具包括：支架，其包括相连的固定框和托盘；压紧组件，其包括安装件和至少四个压杆，安装件可轴向移动地连接于固定框，至少四个压杆分别铰接于安装件，压杆的末端配置有吸盘；驱动组件，...

本申请实施例涉及一种N极性AlN/GaN外延结构制备方法，所述方法包括：在衬底上生长金属极性AlN膜层；在金属极性AlN膜层上外延金属极性AlN外延层；在金属极性AlN外延层外延极性反转层，极性反转层具有多层应变SiN/AlN外延结构；...

本发明涉及一种危险物回收处理装置、设备及方法，真空系统产物回收处理技术领域，所述危险物回收处理装置用于与目标腔体连接以对所述目标腔体内经加热而流动的危险物进行接收并处理，所述装置包括回收处理腔体，所述回收处理腔体具有可密闭腔室，所述回收...

本发明涉及一种腐蚀处理用霍尔样品夹具及霍尔效应测试仪，霍尔样品夹具包括：支架，其包括相连的固定框和托盘；压紧组件，其包括安装件和至少四个压杆，安装件可轴向移动地连接于固定框，至少四个压杆分别铰接于安装件，压杆的末端配置有吸盘；驱动组件，...

本申请涉及一种源炉装置及分子束外延设备，源炉装置包括：源料腔室，源料腔室配置为容置源料及对源料进行加热；源料腔室的一端形成有喷射通道，喷射通道配置为供加热后的源料束流向真空腔室喷射；喷射通道部分位于真空腔室内；顶盖组件，包括盖帽，盖帽位...

本申请实施例涉及一种样品台和X射线衍射设备，所述样品台包括：支座和样品架；样品架包括至少两个外径不同的样品环，至少两个所述样品环依次套接，至少一个所述样品环连接于所述支座，至少一个所述样品环可拆卸；每个所述样品环上均具有安装样品的安装位...

本申请涉及一种隔离装置及分子束外延设备，属于半导体外延技术领域。包括：箱体，具有第一通道，第一通道的一端连通真空腔室，另一端连通冷泵；隔离芯，位于第一通道内，使得在第一通道流动的流体能接触隔离芯的外壁；隔离芯具有容纳冷却剂的第一内腔，以...

本技术涉及一种传输设备。传输设备包括驱动侧、非接触式磁耦合组件和传输侧；所述传输侧包括置物盘和两传动杆组，所述传动杆组包括主动连杆和从动连杆，两个所述主动连杆的一端枢接并被配置为绕同一轴线转动，另一端各枢接一所述从动连杆，两个所述从动连...

本申请涉及一种分子束外延设备，属于半导体外延技术领域。包括：源炉和挡板组件，源炉喷射的束流的方向相对水平方向倾斜；挡板组件包括：挡板，配置为能够在第一位置和第二位置之间移动；在挡板处于第一位置的情况下，挡板阻挡源炉喷射的束流；在挡板处于...

本申请实施例涉及一种Si基GaN外延结构及制备方法、HEMT及制备方法，其中Si基GaN外延结构的制备方法包括：提供外延生长基底，其包括支撑层和位于支撑层上的硅缓冲层，硅缓冲层具有点缺陷，点缺陷的体密度大于或等于10<supgt;...

本申请涉及一种等离子体启辉室、射频等离子体装置及分子束外延设备，属于半导体外延技术领域。包括放电腔，放电腔包括：第一端，与进气管连接，开设有传输待离化气体的第一通孔；第二端，与第一端相对设置，包括形成束流的喷口；喷口包括至少一个供原子喷...

本申请涉及一种用于分子束外延的衬底控制器及气体馈入方法。用于分子束外延的衬底控制器，包括：屏蔽罩，屏蔽罩的内侧具有用于容纳衬底的空腔；屏蔽罩的侧壁内具有夹层，夹层供气体流通；屏蔽罩的侧壁内侧设有若干朝向衬底的开口，若干的开口均与夹层连通...

本申请涉及一种束流分布监测装置、分子束外延设备及束流分布监测方法，属于半导体外延技术领域。包括：监测部件，用于监测源炉喷射的束流强度，包括位于真空腔室内的测量端和伸出真空腔室的传递端，传递端用于传递监测数据；监测部件能在真空腔室内运动，...

本申请涉及一种分子束外延设备、可伸缩式源炉及其控制方法。可伸缩式源炉包括源炉本体和控制所述源炉本体退出或进入生长室的源炉载具，所述源炉载具包括：长度可变的管道，所述管道的一端在所述生长室外与该生长室连通，另一端与所述源炉本体可拆卸地密封...

本申请涉及一种优化多源炉分布的方法和分子束外延设备。其中，优化多源炉分布的方法包括以下步骤：创建并运行具有多个源炉的分子束外延模型，其中，至少一个源炉为待优化源炉，优化变量包括所述待优化源炉的源炉口向衬底延伸的距离；根据设定的束流均匀度...

本申请涉及一种分子束整流机构、坩埚、蒸发源炉和分子束外延设备。分子束整流机构包括：管道，所述管道被配置为接收分子束；设在管道中的第一止挡部和第二止挡部，所述第一止挡部包括多个止挡叶片，所有所述止挡叶片在所述管道横截面上的投影完全覆盖所述...

本申请涉及一种隔离装置及分子束外延设备，属于半导体外延技术领域

本申请涉及一种源炉装置及分子束外延设备，源炉装置包括：源料腔室，源料腔室配置为容置源料及对源料进行加热；源料腔室的一端形成有喷射通道，喷射通道配置为供加热后的源料束流向真空腔室喷射；喷射通道部分位于真空腔室内；顶盖组件，包括盖帽，盖帽位...

本发明涉及一种传输设备及其控制方法

本申请涉及一种裂解源炉和分子束外延设备，裂解源炉，用于分子束外延设备，分子束外延设备包括生长腔，裂解源炉包括炉主体、第一调节阀和第二调节阀，炉主体设有原料腔、第一连通口及第二连通口，第一调节阀设于第一连通口，第二调节阀设于第二连通口其中...