提供一种基准电流电路，能够高精度地供给相对于温度变化稳定的基准电流，能够减少面积。基准电流电路(100)具有：电流镜电路(110)，其供给基于(Iin)的(Iout)；E型MOS(130)，其栅极(130G)与被供给(Iout)的漏极(...

本发明提供能够以简洁的电路结构抑制非调节状态下的消耗电流的电压调节器。电压调节器(1A)具有接受控制电压并输出输出电压的输出晶体管；输出将基于输出电压的电压与基准电压之差放大后的放大信号的误差放大电路(25)；被输入所述放大信号，向输出...

本发明提供一种能够在不降低形成于半导体芯片的磁检测元件的灵敏度的情况下将半导体芯片稳定地固定于引线框的半导体装置。半导体装置(10)具有：半导体芯片(110)，其形成有霍尔元件(110a)；以及多个突片(101)，其通过导电性粘接剂(1...

本发明提供使快速响应返回的信号处理装置。作为信号处理装置的传感器装置（200）具备：电容器（206）；传感器部（220），其在既定以上的电力蓄电至电容器的情况下，使用蓄电至电容器的电力来无线发送第一信号（SG1）；接收部（210），其接...

本发明提供这样的无电池传感器电路：如果从发电元件输出发电电力，则能够使传感器电路和电压检测电路进行动作并同时对蓄电电容进行蓄电，减少感测精度的恶化。设为这样的无电池传感器电路：具备发电元件、第一开关元件、电压控制电路、第一蓄电电容、传感...

本发明提供热头驱动用集成电路和半导体装置，该热头驱动用集成电路不固定使热头驱动用集成电路动作的信号的输入方向而从芯片左边或芯片右边中的任意一方都能够输入，并能够抑制信号的衰减。一种热头驱动用集成电路(1)，其具有：级联连接用的输入输出电...

提供一种半导体装置的制造方法和半导体装置，该制造方法即使为了减小鸟嘴而使基底氧化膜变薄，也能够抑制场氧化膜及其鸟嘴的大幅变形、缺陷的产生，能够形成容易得到期望的电特性的半导体元件。半导体装置的制造方法包括：在硅半导体基板(P型阱区域)的...

本发明涉及热头驱动用集成电路和热头驱动用集成电路的制造方法。热头驱动用集成电路经由数据信号传送时钟信号的IC内部布线的信号不失真而可保持信号的占空比。一种热头驱动用集成电路和切断电阻电路的熔断器的热头驱动用集成电路的制造方法，该热头驱动...

本发明提供一种电压检测器，在瞬时电压下降时具有可靠且高速的检测响应性。电压检测器(10)具有：分压电路(110)，其通过分压电阻(Ra、Rb)对经由检测端子(T2)输入的电池电压(Vs)进行分压而输出分压电压(Vd)；比较电路(120)...

在发电元件能够输出的电力小于负载电路的消耗电力的情况下也能进行模拟。模拟装置具有模型创建部和模拟部，所述模型创建部创建测试电路的模拟用模型，所述测试电路包含：（1）升压电路，从能够输出比负载电路的消耗电力小的电力的发电元件输入电力，并且...

提供能够兼顾开关特性的再现性改善和平均消耗电流的削减的传感器装置。传感器装置具备：将既定物理量转换为电信号的传感器元件；向传感器元件供给驱动信号的驱动电路；输出将从传感器元件输出的电信号进行二值化后的二值结果信号的处理电路；多次获取二值...

本发明的目的在于提供具有蓄电电容的个数较少的升压电路或使用了电容值较小的小型蓄电电容的升压电路的电子设备。具有升压电路的电子设备（100）具备第1升压电路（103）、第1输出电路（105）、负载（106）、第1蓄电电容（102）、第2蓄...

本发明涉及开关调节器控制电路以及DC/DC转换器。提供一种DC/DC转换器，能够在不受与输出端子(102)连接的外置元件等的影响的情况下，可靠地进行过电压保护。特征在于，具有比较器(112)、RS

提供能够提高与安装基板的固接强度的半导体装置。其是由密封树脂(50)以长方体状覆盖、多个引线部(11)从侧面(100c)和底面(100a)露出一部分的半导体装置(100)，是如下的半导体装置(100)：具有沿着侧面(100c)和底面(1...

提供半导体装置，无论可否进行引线框架连接盘的双键合，都能够应对任何封装。一种半导体装置，其特征在于，具有：运算放大器(2)；反馈电阻(6)；基准电压产生电路(7)；输出晶体管(5)；第1连接盘(3a)，其与输出晶体管(5)的输出端子连接...

提供电阻电路以及具有该电阻电路的电流检测电路，温度依赖性小、并且能够在从高电阻值到低电阻值的大范围内调整电阻值、并且面积小。一种电阻电路，其连接在第1端子与第2端子之间并且电阻值可变，所述电阻电路具有基准电阻、串联可变电阻组和并联可变电...

提供过电流保护电路和负载驱动装置，即使在输出端子对地短路时，也能将过电流的检测精度维持得较高。一种过电流保护电路(100)，其限制在输出晶体管(11)中流过的输出电流(IOUT)，具有：感测晶体管(13)，其中流过与输出电流(IOUT)...

本发明抑制具备使用将P型多晶硅作为栅电极的增强型晶体管的基准电压电路的半导体装置在高温放置试验中的阈值电压偏移。作为具备基准电压电路的半导体装置，其具备将P型多晶硅作为第1栅电极的增强型晶体管和将N型多晶硅作为第2栅电极的耗尽型晶体管，...

提供基准电压电路，供给相对于电源电压的变动抑制了电压变动的基准电压。基准电压电路具有：基准电压发生电路，其产生基准电压，并具有向输出端子供给的输出线；以及输出控制电路，该输出控制电路具有：输出晶体管，该输出晶体管具有漏极、源极、以及被输...

充放电控制电路以及具有该充放电控制电路的电池装置。提供充放电控制电路，在根据来自以二次电池为电源的外部的控制器的控制信号转移到关电状态时，能够可靠地转移到关电状态。一种充放电控制电路(11)，其能够根据来自外部的控制器(14)的控制信号...