本发明涉及一种带背光监控用于高速传输的光组件，包括VCSEL激光器、入射准直透镜、透镜基体、膜片、出射聚焦透镜以及背光监控透镜；透镜基体上设有第一光束转折面和第二光束转折面，膜片设于第一光束转折面上，膜片分为两半部分，其上半部分为增透膜...

本实用新型提供一种发射端驱动电路结构，其包括TT模组、TEC单元、PD模块、LD激光器、APC光功率控制器、EAM单元、MCU单元以及SOA单元，其中：该MCU单元具有输入端、输出端以及输出/输入端，所述输入端与该TT模组相连，所述输出...

本实用新型提供一种台面PIN钝化结构，包括在半绝缘InP衬底上依序生长有缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层和P++型CapInP层，其中：该半绝缘InP衬底上依序生长的该缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层和P++型C...

本实用新型提供一种CATV同轴器件封装结构，其包括TO-Header载体构件、方块构件、PD芯片以及连接构件，其中：该载体构件包括管脚、圆台以及该圆台凹设有斜底槽；该方块构件设于所述斜底槽中，使之其上表面呈现为倾斜状；该PD芯片设于所述...

本发明提供一种调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延生长方法，包括的步骤是生长前对MOCVD反应室烘烤与清洗；将InP衬底片在低压MOCVD反应室；该MOCVD反应室压力设置在20mbar至100mbar之间，采用PH3砷烷作为反应及保护气...

本实用新型公开了一种内置OTDR功能的单光纤双向传输组件，其包括分光装置、WDM滤波器及单光纤、同轴光发射组件、第一同轴光接收装置以及第二同轴光接收装置；所述同轴光发射组件与单光纤相对设置且形成一光路传输的水平光轴，在该同轴光发射组件和...

本实用新型公开了一种拉环翘板式自解锁机构，其包括有拉环、翘板及壳座，该拉环其中一边中部的水平面上形成梯形凸台，该翘板的前部设有压板，尾部设有用于实现模块与系统锁扣与解锁的凸出的卡钩，该壳座头部底面的前端两侧设有C形拉环槽，中间设有U形翘...

本实用新型提供一种实现窄波长间隔波段分离的光学装置，其主要应用于波分复用型双向光组件的上下行光波长分离。所述的发射端激光器的下行光发射光路上设置有插针组件，且发射端激光器与插针组件之间设置有发射端带通滤波片，所述的发射端带通滤波片的上行...

本实用新型公开了一种光探测器TO-CAN自动耦合测试系统，其包括测试箱、外部设备和计算机，测试箱内部底板上固定有定位座和用于测试系统的定位及耦合的六维电动滑台，该定位座上固定有能批量装载探测器TO的测试盘，该测试箱外部顶部放置有三个用于...

本实用新型公开了一种自动弯剪光通讯器件脚的夹具，所述自动弯剪光通讯器件脚的夹具包括底座单元、定位单元及弯剪单元，所述底座单元包括底座、第一定位块及第二定位块，所述底座的两相对侧均成对设有两对以上的凸起部；所述定位单元包括压板、定位板、第...

本发明提供一种光模块突发光功率的检测电路，专用于检测OLT模块所接收到的突发光包的光功率，包括高压发生器，所述的高压发生器的输出端连接镜像电路，所述的镜像电路的主通道输出电流至雪崩光电二极管和恒流源电路，次通道输出镜像电流至跨阻放大器，...

本发明公开了一种用于GPON?OLT的光突发接收电路，该光突发接收电路包括雪崩光电二极管，该雪崩光电二极管的阴极连接一能使其具有内增益的正极性的高压发生器，该雪崩光电二极管的阳极连接一跨阻放大器的信号输入端，该跨阻放大器将该雪崩光电二极...

本发明公开了一种超辐射发光二极管及其制作方法，包括有衬底，采用外延生长技术，在衬底上依次形成缓冲层、下限制层、有源区、上限制层和第一p型包覆层，构成一次外延片；继续采用外延生长技术，在一次外延片表面依次生长出第二p型包覆层和n型包覆层，...

本实用新型公开了一种光发射模块光功率和消光比控制系统，包括激光器LD、LD驱动器、温度探测部件TT和微处理器。其中，TT、自动电流检测与控制部件ACT分别将LD的温度、阈值电流传递给微处理器；光探测器PD通过自动光功率控制APC把LD的...

本实用新型公开了一种用于扩展激光二极管的低温工作范围的装置，其包括热敏电阻、加热薄膜电阻和控制电路，其中，所述加热薄膜电阻用于对激光二极管进行加热；所述控制电路包括微处理器控制单元MCU、电阻加热器HC和模数转换器ADC，所述ADC用于...

本发明公开了一种激光收发器件及其制造方法和提高其温度运作范围的方法，利用低成本激光发射器组件TOSA来增加诸如SFP或SFP+等的激光收发一体化模块的温度运作范围，利用加热器与激光二极管一起封装集成在诸如TO-CAN的TOSA中。利用在...

本实用新型提供了一种高速激光二极管封装结构，包括有底座、激光二极管、高速热沉、光功率监控芯片、陶瓷垫片，所述底座上设置有四个引脚，其中两个引脚用于连接激光二极管P极，另外两上引脚用于连接激光二极管N极，所述高速热沉用于进行激光二极管芯片...

本实用新型公开了一种电控保偏光纤耦合夹具，其主要包括光纤夹头（1）、锁定气缸（2）、支架（3）、光纤后支架（4）和电控角度调节盘（5）；所述光纤夹头（1）安装在锁定气缸（2）上，作为整体固定在电控角度调节盘（5）上，光纤后支架（4）直接...

本实用新型公开了一种背光PIN光电二极管，包括在n型掺杂的InP衬底上依次外延生长n型掺杂的InP缓冲层、非故意掺杂InGaAs吸收层、非故意掺杂InP帽层、非故意掺杂InGaAs欧姆接触层，基于MOCVD外延方式实现Zn扩散，对InG...

本发明涉及一种多量子阱波导对接耦合方法，包括：A、在衬底上一次外延第一多量子阱结构；B、待淀积介质膜后，进行掩膜光刻，采用三步蚀刻法去掉需进行二次外延的第一区域的波导部分；C、将外延片置入金属有机化学气相淀积设备中进行高温热处理；D、进...